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“目前，幹法刻蝕工藝主要是離子銑刻蝕、等離子刻蝕和反應離子刻蝕三種方案。”

“而這三種方案，離子銑刻蝕最為簡單，可控性也比較高，技術成熟度也很高，相關的專利其實也已經被申請的差不多了，想要彎道超車，避開西方的專利壁壘，這個方案非常的難。”

“除此之外，這個方案也有技術本身的缺點，那就是刻蝕選擇性極差，必須採用專門的刻蝕終點檢測技術，並且刻蝕速率也比較低，性比價相當低。”

“而等離子刻蝕，雖然透過選擇和控制放電氣體的成分，可以得到較好的刻蝕選擇性和較高的刻蝕速率，但是刻蝕精度卻並不高，一般只能運用在大於4-5微米線條的工藝之中。”

“而我們實驗里正在進行的專案，就是王總設計的反應離子刻蝕方案！”

陳凌嶽一邊介紹著，一邊帶著尹之耀等人朝著刻蝕方案專案區域而去。

聽到陳凌嶽這麼介紹，尹之耀的神情並沒有多大的變化。

論文他已經看過了，雖然有些吃驚王東來的動作迅速，直接就在自己的實驗室進行驗證，但如果只是這樣的話，也只能算是一般，中規中矩。

尹之耀的心裡想法，其實不僅是王東來能看出來，陳凌嶽也能看出來。

選擇合適的氣體組分，不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度，還可以使活性基團的壽命短，這就有效地抑制了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應，大大提高了刻蝕的各向異性特性。

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