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蒸鍍艙的真空度達標後，許秋和莫文琳又回到實驗室，先按照正常的方法用束源爐加熱法蒸鍍了三氧化鉬。

之後等待束源爐溫度降低至100攝氏度以下，開始準備蒸鍍金屬電極。

平常蒸鍍厚膜金屬電極的時候，蒸鍍的速率並不是很重要，有的時候趕時間，還會直接用閃蒸的操作方式製備電極。

所謂閃蒸，突出一個字“閃”，就是直接用大電流，在不燒斷保險絲的前提下，把蒸鍍速率拉滿，嗖的一下就把膜給鍍好了。

對比一下，正常蒸金屬電極是大約1埃每秒，即0.1奈米每秒的蒸鍍速率，蒸100奈米需要大約17分鐘。

而閃蒸的速率可能會達到6埃每秒，甚至10埃每秒以上，直接幾分鐘就能搞定。

除了蒸的快，閃蒸還有另外一個優點，那就是蒸的厚，對靶材的利用率高。

尤其是平常在蒸鍍金的時候，因為金比較貴嘛，所以為了防止浪費，都是儘量少加金靶材，然後直接閃蒸的。

根據許秋的經驗，如果閃蒸把金全部蒸完，得到的金膜厚度是100奈米的話，正常速率蒸鍍得到的厚度可能就只有30-50奈米，差距還是非常大的。

凡事有利就有弊，閃蒸也是有缺點的，那就是會讓蒸鍍得到的薄膜變得不均勻。

舉一個不太形象的例子，可以把蒸鍍的過程想象下冰雹的過程，器件表面想象成為泥土地面，蒸鍍速率越快，冰雹顆粒越大，下落的速度越快，就更容易把地面給砸出坑來。

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